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INFONA - Wissenschaftskommunikationsportal Wafer-Packaging für FBAR-basierte Oszillatoren Jüngste Fortschritte bei der Temperaturkompensation von FBAR (Film Bulk Acoustic Resonators) haben diese Technologie als ernsthaften Anwärter auf dem Oszillatormarkt vorgestellt. Wie bei jedem mechanischen Resonator-Oszillator ist ein kostengünstiges hermetisches Paket kombiniert mit der Schaltungstechnik für die kommerzielle Anwendung entscheidend. Milliarden von FBAR-Duplexern wurden unter Verwendung eines Wafer-Skalen-Verpackungsverfahrens von Avago Technologies hergestellt, wobei ein Silizium-Deckelwafer an einem Basis-FBAR-Wafer au-diffusionsgebunden ist, um ein robustes, hermetisches Gehäuse herzustellen. Dieses Papier präsentiert ein Verfahren zum Integrieren von Schaltkreisen in den Deckelwafer, um einen sub-0.1 mm 3. sub mW, 1,5 GHz temperaturkompensierten Chip-Scale-Oszillator zu bilden. Die Schaltungsintegration, das Testen und die Leistungsfähigkeit werden diskutiert. Identifikatoren Schriftgröße ändern Sie können die Schriftgröße durch Drücken einer Tastenkombination einstellen: CONTROL Schriftgröße erhöhen CONTROL ndash Schrift verkleinern Die Seite ohne Maus navigieren Sie können die aktiven Elemente auf der Seite (Schaltflächen und Links) durch Drücken einer Kombination von Tasten ändern Schlüssel: TAB zum nächsten Element UMSCHALTTASTE zum vorherigen Element Finanzierung durch das Nationale Zentrum für Forschung und Entwicklung unter der Finanzhilfe Nr. SPI17706510 durch das strategische wissenschaftliche Forschungs - und Entwicklungsprogramm SYNAT - Interdisziplinäres System für interaktive wissenschaftliche und wissenschaftlich-technische Informationen. Film-Schallpegel-Schwingungssensor (FBAR) L Band-Schallrausch-Oszillator für digitale Kommunikation Seit über 20 Jahren wird FBAR oder SMR-BAW mit seinem hohen fBULLETQ-Produkt als attraktive Alternative vorgeschlagen Konventionelle Ansätze für Taktanwendungen 1 2. Wie andere mechanische Resonatoren im Mikrometerbereich erfordert FBAR ein hermetisches Gehäuse, um die Frequenzstabilität aufrechtzuerhalten. Abstrakte Zusammenfassung Zusammenfassung ABSTRAKT: Jüngste Fortschritte in der Temperaturkompensation für FBAR (Film Bulk Acoustic Resonators) haben diese Technologie als ein ernsthafter Anwärter auf dem Oszillatormarkt vorangebracht. Wie bei jedem mechanischen Resonator-Oszillator ist ein kostengünstiges hermetisches Paket kombiniert mit der Schaltungstechnik für die kommerzielle Anwendung entscheidend. Milliarden von FBAR-Duplexern wurden unter Verwendung eines Wafer-Skalen-Verpackungsverfahrens von Avago Technologiesx27 hergestellt, wobei ein Silizium-Deckelwafer an einen Basis-FBAR-Wafer au-diffusionsgebunden ist, um ein robustes, hermetisches Gehäuse herzustellen. Dieses Papier präsentiert ein Verfahren zum Integrieren von Schaltkreisen in den Deckelwafer, um einen sub-0.1 mmltsupgt3ltsupgt, sub mW, 1.5 GHz temperaturkompensierter Chip-Scale-Oszillator zu bilden. Die Schaltungsintegration, das Testen und die Leistungsfähigkeit werden diskutiert. Konferenzpapier Juni 2011 quot1a. Sie besteht aus einem Dünnfilm aus piezoelektrischem Material, Aluminiumnitrid (AlN) in diesem Fall, der zwischen zwei Metallelektroden auf einem mikrobearbeiteten Substrat 1 eingebettet ist. Der Chip enthält zwei FBAR-Bauelemente, deren Resonanzfrequenz geringfügig zu einem Elementarabschnitt verschoben ist Für einen Leiterfilter. (FBARs) erweisen sich als gute Kandidaten für die Konstruktion von Niederleistungsoszillatoren im niederfrequenten Frequenzbereich. Um die Verwendung von FBAR-Resonatoren zu höheren Frequenzen zu verstärken, demonstrieren wir einen Oszillator, der eine Obertonfrequenz der FBAR verwendet. Ein 7-GHz-Oszillator wird auf einer Leiterplatte mit einem handelsüblichen pHEMT-Transistor als aktives Element und auf der Oberfläche angebrachten passiven Bauelementen aufgebaut. Der FBAR ist mit der Leiterplatte drahtgebondet. Das gemessene Phasenrauschen von -110 dBcHz bei 1MHz Offset. Für den Autorx27s Wissen ist diese Schaltung der erste realisierte FBAR-Overtone-basierten Oszillator auf PCB. Volltext-Konferenzpapier Nov. 2009 M. ElBarkouky G. Vandersteen P. Wambacq Y. Rolain quotAn L Bandfixfrequenz-FBAR-Oszillator wurde vor kurzem veröffentlicht. 2. In vielen der praktischen Anwendungen ist eine Schmalband-Abstimmung des Oszillators erforderlich, um sie zu verriegeln Einen niedrigeren, aber viel höheren Stabilitätsoszillator. Abstraktes Zusammenfassung ABSTRAKT: Dieses Papier beschreibt den Entwurf und die gemessene Leistung eines rauscharmen Varaktors abgestimmten Oszillators auf der Basis eines akustischen Resonators (FBAR) mit 2 MHz. Unter Verwendung der Varaktor-Abstimmung zeigte dieser Oszillator einen Frequenzbereich von 2,5 MHz bei 1985 MHz mit einem Phasenrauschen von -112 dBcHz bei 10 kHz vom Träger. Dies stellt das erste Beispiel eines geräuscharmen Si-bipolaren FBAR-abstimmbaren Oszillators dar. Konferenzpapier Jul 2003 A. P.S. Khanna E. Gane T. Chong
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